外部量子效率eqe（nint）是一個微觀過程復合載流子產生的光子數與復合載流子總數之比。因為無法去計數復合載流子總數和產生的光子總數。因此一般是通過測量LED輸出的光功率來評價這一效率。直接躍遷過程比間接躍遷過程簡單，其外部量子效率取決于少數載流子的輻射復合與非輻射復合的壽命。提高外量子效率主要在于提高材料的純度、完整性和改進PN結制作工藝的特性，以降低非輻射復合中心的濃度。
外部量子效率eqe的測試方法與步驟：
（1）將待測CCD芯片和標準探測器，以及它們各自的驅動電路放置在暗室中，并調節測量系統各部分儀器的參數。打開光源的開關，使電流保證在8.4到8.6安，打開單色儀開關，打開皮安表開關和移動位移臺的開關。
?。?）通過上位機程序控制待測CCD芯片電子快門，調整CCD芯片的積分時間來控制CCD芯片的曝光時間和曝光量。（一般調好不用管）
（3）調節移動位移臺，將標準件調到和激光光斑重合處（目前大約41500）。
（4）記錄皮安表的數值，查表，找出對應波長的數值，用皮安表的數值除以查表得出的值，得出功率值。（正好皮安對皮瓦）
（5）蓋住CCD相機的鏡頭，在CCD上位軟件上，連接設備，連續采圖，設置參數中輸入對應波長，功率值后。再單擊量子效率，完成暗圖像的采集。
（6）調節移動位移臺，將CCD工業相機調到激光光斑重合處，（目前大約是回到原點）。
?。?）揭開CCD的鏡頭，讓激光光斑打到CCD上，在設置參數中輸入對應波長，功率值后，亮圖上打上對勾。再單擊量子效率，完成亮圖像的采集。
?。?）記錄量子效率的值。
（9）在單色儀的上位軟件里，設定對應波長，波長從400nm-780nm。設置起始波長為400nm，每隔20nm，重復（3）到（8）步驟測一次量子效率的值。直到780nm為止。
（10）繪制量子效率的曲線。
